中科院成功合成新型“石墨烯”：弥补石墨烯缺憾
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在今年8月召开的“全球IEEE（电气和电子工程师协会）国际芯片导线技术会议”上，IMEC（欧洲微电子研究中心）提出了四种延续摩尔定律、打破2nm芯片物理极限的方法 。
这几种方法无一不是建立在了使用“石墨烯材料”的基础之上 。经过讨论，专家组最终达成一致，将石墨烯定位下一代新型半导体材料，将碳基芯片定义为下一个芯片时代的主流 。
以石墨烯为代表的碳基二维材料自发现以来受到了广泛关注 。然而，石墨烯的零带隙半导体性质严重限制了其在微电子器件领域的应用 。
针对该情况，中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究人员等自2013年开展新型碳基二维半导体材料的制备研究，2014年1月成功制备了由碳和氮原子构成的类石墨烯蜂窝状无孔有序结构半导体C3N单层材料，并发现该材料在电子注入后产生的铁磁长程序 。
文章插图
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AA'（a-c）及AB'（d-f）堆垛双层C3N的HAADF-STEM图像
上述工作是C3N材料实验与理论研究的重要突破，为进一步构建新型全碳微电子器件提供了支撑 。
【中科院成功合成新型“石墨烯”：弥补石墨烯缺憾】然而，相比于目前研究已经比较成熟的石墨烯，C3N的研究起步较晚，该材料的基本物性研究仍有大量空白有待填补 。
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