cxmt 长鑫存储新路线图公布 另计划再建两座DRAM晶圆厂

长鑫存储科技股份有限公司已经开始生产基于19nm工艺的计算机内存,公司已经制定了至少两个10nm工艺的路线图,并计划未来生产各种类型的动态随机存取存储器。为了增加产量,长鑫仓储还计划建设另外两个晶圆厂。作为中国制造2025项目的一部分,预计将支撑全球约一半的DRAM需求。
CXMT总部位于安徽合肥,目前员工3000余人,拥有晶圆厂,洁净室65000㎡。其前身是合肥瑞丽集成电路。自2016年成立以来,公司一直致力于许多项目。
目前,长鑫仓储的月产能约为2万片晶圆,但随着公司订单的增长,产量会逐渐增加。预计到2020年底,其10纳米制程技术的产能将达到12万片,与SK海力士在中国无锡的工厂相当。
CXMT表示,其77%的员工是从事研发相关工作的工程师。在齐知识产权授权的帮助下,公司顺利完成前期积累。
CXMT正在利用其10G1技术制造4 Gb和8 Gb DDR4内存芯片,目标是在2020年第一季度商业化并投放市场,该技术将用于2020年下半年制造的LPDDR4X内存。

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来源:长新
根据路线图,CXMT还为DDR4、LPDDR4X、DDR5和LPDDR5规划了10G3产品。虽然仍无法撼动行业内的老对手,但公司非常重视创新工艺的研发和产能的扩大。
预计CXMT 10G5工艺将采用HKMG和气隙位线技术,长期来看将采用柱状电容、通用栅晶体管和极紫外光刻工艺。
尽管该公司计划在2019年初开始生产DDR4内存,但新路线图已经推迟了一年。最后,该公司还计划再建设两家DRAM晶圆厂。
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