PIC系列单片机配置字详细介绍 pic单片机编程器软件

(注：本文档主要根据PIC16F193X数据手册编写，对于其他型号的单片机，其配置字可能略有不同，此外本文部分参考了PIC18F78K22数据手册，因而部分注释了两个系列单片机的区别)
1、FCMEN:故障保护时钟监视器使能位
FCMEN_ON:使能 FCMEN_OFF: 禁止(红色表示本人使用PIC单片机所选择的配置,下同)
详细说明：在使器件能在外部振荡器发生故障时继续运行。FSCM 可以检测当振荡器起振定时器(OST)延时结束后的任何时刻发生的振荡器故障。
如图所示，故障检测器模块内部有一个锁存器。在外部时钟的每个下降沿上将锁存器置1 。在采样时钟的每个上升沿将锁存器清零。如果采样时钟的一个完整半周期在外部时钟变为低电平之前结束，则将检测到故障。

文章插图

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RC模式
“pic系列单片机有rc、lp、xt、hs等振荡模式。除rc模式外，振荡模式的选择实际上就是环路增益的选择。低增益对应低振荡频率，高增益对应高振荡频率。一般根据实际需要的工作频率可参考数据手册来选择。
11、LVP：低压编程使能位
LVP_ON = 使能低压编程
LVP_OFF = 必须使用MCLR/VPP 引脚上的高压进行编程
详细说明：允许器件在没有高压的情况下仅使用VDD 进行编程。如果使能了低压编程(LVP = 1)，将自动使能MCLR复位功能，且无法禁止。
12、DEBUG：在线调试器模式位
DEBUG_OFF = 禁止在线调试器，RB6/ICSPCLK 和RB7/ICSPDAT 是通用I/O 引脚
DEBUG_ON = 使能在线调试器，RB6/ICSPCLK 和RB7/ICSPDAT 专用于调试器
13、BORV：欠压复位电压选择位
BORV_19 = 欠压复位电压设置为1.9V
BORV_= 欠压复位电压设置为2.5V (注：1936,1946资料为2.5V，代码注释为2.7V)
(注：18F87K22为BORV<1:0>，1.8V，2.0V，2.7V，3.0V)
14、STVREN：堆栈上溢/ 下溢复位使能位
STVREN_ON = 堆栈上溢或下溢将导致复位
0STVREN_OFF = 堆栈上溢或下溢不会导致复位
详细说明：MPC在执行调用函数、中断函数等操作时，进行对当前PC值进行堆栈操作，若不使能该功能，堆栈将作为循环缓冲区使用，溢出的PC值将覆盖最早进入堆栈的PC值。
15、PLLEN：PLL 使能位
PLLEN_ON = 使能4xPLL
PLLEN_OFF = 禁止4xPLL
注：配置字禁止该功能时，可在程序中通过设置SPLLEN，选择是否使能4xPLL功能。(软件启动时，需一段时间后锁相环倍频才能稳定，可查询PLLR，测试PIC16F1946，采用外部4M晶振，震荡器选择HS模式，软件SPLLEN置1，约600指令周期后PLLR为1)
16、 VCAPEN<1:0>：稳压器电容使能位
00 = 在RA0 引脚上使能VCAP 功能
01 = 在RA5 引脚上使能VCAP 功能
10 = 在RA6 引脚上使能VCAP 功能
11 = VCAP 引脚上无电容
【PIC系列单片机配置字详细介绍 pic单片机编程器软件】详细说明：Vcap是提供给内部稳压器使用的，如果你5V的系统，必须在三个Vcap脚上选择一个接上Cap,而且要在配置位中指定该引脚。如果系统只需要3.3V，无需选择Vcap.
17、WRT<1:0>：闪存自写保护位
4 kW 闪存(仅PIC16F1933/PIC16LF1933 和PIC16F1934/PIC16LF1934)：
11 = 写保护关闭
10 = 000h 至1FFh 受写保护，200h 至FFFh 可以由EECON 控制寄存器修改
01 = 000h 至7FFh 受写保护，800h 至FFFh 可以由EECON 控制寄存器修改
00 = 000h 至FFFh 受写保护，无可由EECON 控制寄存器修改的地址址
8 kW 闪存(仅PIC16F1936/PIC16LF1936 和PIC16F1937/PIC16LF1937)：
11 = 写保护关闭
10 = 000h 至1FFh 受写保护，200h 至1FFFh 可以由EECON 控制寄存器修改
01 = 000h 至FFFh 受写保护，1000h 至1FFFh 可以由EECON 控制寄存器修改
00 = 000h 至1FFFh 受写保护，无可由EECON 控制寄存器修改的地址
16 kW 闪存(仅PIC16F1938/PIC16LF1938 和PIC16F1939/PIC16LF1939)：
11 = 写保护关闭
10 = 000h 至1FFh 受写保护，200h 至3FFFh 可以由EECON 控制寄存器修改
01 = 000h 至1FFFh 受写保护，2000h 至3FFFh 可以由EECON 控制寄存器修改
00 = 000h 至3FFFh 受写保护，无可由EECON 控制寄存器修改的地址
详细说明：写保护用于保护器件不受意外的自写访问。在允许修改程序存储器其他区域的同时可以保护应用程序，例如引导加载程序软件。
推荐配置：__CONFIG(FOSC_HS & WDTE_ON(1) & PWRTE_ON & MCLRE_ON&CP_ON & CPD_OFF & BOREN_ON &CLKOUTEN_OFF & IESO_OFF & FCMEN_ON);
__CONFIG(WRT_OFF & VCAPEN_OFF(2)& PLLEN_ON(3)& STVREN_ON & BORV_19 (4)& DEBUG_OFF & LVP_OFF);
注：
1、关于看门狗配置字WDTE，若某些单片机超时时间较短，而程序初始化时间较长，可选择软件启动，WDTE_SWDTEN，注意对相关寄存器定时设置，或者在初始化程序中多次清狗
2、如果MCU采用+3.3V供电，则可以不使能VCAP，如果采用+5.0V供电必须使用VCAP 。
3、若采用4M外部晶振，采用FOSC_HS 或FOSC_XT可能还需测试确认。
4、复位电压根据MCU工作电压、电源电压范围以及RAM保持电压确认。+3.3V工作推荐为1.9V，+5.0V工作推荐为+5.0V 。

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