类脑芯片核心材料获突破
研究亮点： 1. 基于MoS2开发了一种基于浮栅场效应晶体管（FGFETs）的存储器中逻辑器件和电路 。2. 从材料的角度为类脑芯片的存算一体化提供了突破 。
在过去50年，传统数字计算机的性能在不断提高 。集成电路的技术进步一方面使得硬件变得越来越强大，另一方面也给寻求优化算法性能的系统架构师带来了挑战 。下一代高性能、低功耗的计算机系统需要像大脑学习 。
传统计算机依循冯·诺依曼架构设计，存储与计算功能分离 。每进行一次运算，计算机都要在内存和CPU两个区域之间来回调用，大数据处理效率有待提高 。除此之外，因为在存储与计算空间之间来回调用，芯片的能耗大部分转化为热量，既不利于设备的性能稳定，又不环保 。类脑芯片就不一样了，人脑中存储与计算功能是合二为一的 。科学家们长期以来一直对大脑的计算能力着迷，大脑不仅具有难以置信的能效，而且由于其神经元和突触的架构，还拥有独特的信息处理性能 。类脑芯片可以模拟人脑的复杂处理能力，启发了神经形态计算领域，一个使用大脑神经网络结构作为下一代计算机基础的研究领域 。
为了开发类脑芯片，大量的研究都集中于探索新的器件架构上 。然而，适合于这种器件设计的材料开发仍然是一个巨大挑战 。有鉴于此，瑞士洛桑联邦理工学院Andras Kis等人将大面积MoS2作为有源沟道材料，开发了一种基于浮栅场效应晶体管（FGFETs）的存储器中逻辑器件和电路 。
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