关于同步整流降压转换器损耗，你知道怎么处理吗？
什么是同步整流降压转换器损耗?你知道吗?本文开始探讨同步整流降压转换器的损耗 。首先，我们来看一下同步整流降压转换器发生损耗的部位 。然后，会对各部位的损耗进行探讨 。
同步整流降压转换器的损耗发生部位
下面是同步整流降压转换器的电路简图以及发生损耗的位置 。关于发生位置，用红色简称来表示 。
PONH是高边MOSFET导通时的导通电阻带来的传导损耗，也称为“导通损耗” 。
PONL是低边MOSFET导通时的导通电阻带来的传导损耗 。
PSWH是MOSFET的开关损耗 。
Pdead_time是死区时间损耗 。当高边和低边MOSFET同时导通时，VIN和GND处于接近短路的状态，并流过称为“直通电流”等的过电流 。为了避免这种情况，几乎所有的控制器IC在高边和低边的导通/关断切换时，都会设有两者都关断的一点点时间，这就是“死区时间” 。为了安全起见是需要死区时间的，但会成为损耗 。
PIC是电源用IC(在这里为功率晶体管外置同步整流降压转换器用控制器IC)的电源电流 。基本上是IC本身消耗的电流，是自身消耗电流 。
PGATE是外置MOSFET的栅极电荷损耗 。原则上MOSFET的栅极是不流过电流的，但需要用来驱动栅极电容的电荷，这会成为损耗 。需要同时考虑高边和低边 。
PCOIL是输出电感的DCR、直流电阻带来的传导损耗 。
将这些损耗全部加在一起就是同步整流降压转换器的损耗 。
损耗合计P=PONH+PONL+PSWH+Pdead_TIme+PIC+PGATE+PCOIL
ONH：高边MOSFET导通时的导通电阻带来的传导损耗
ONL：低边MOSFET导通时的导通电阻带来的传导损耗
SWH：开关损耗
dead_TIme：死区时间损耗
IC：自身功率损耗
GATE：栅极电荷损耗
COIL：电感的DCR带来的传导损耗
关键要点：
【关于同步整流降压转换器损耗，你知道怎么处理吗？】 ?同步整流降压转换器的损耗是各部位损耗之和 。以上就是同步整流降压转换器损耗解析，希望能给大家帮助 。
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