基于TMS320C6711-150 DSK板对Flash存储器实现编程

引言
在采用TI数字信号处理器(DSP)的嵌放式硬件系统开发完成 , 软件也有CCS2.0集成开发环境下仿真测试通过后 , 怎样将编译、链接后生成的可执行文件(.Out) , 经过转换后的十六进制文件(.Hex)写入硬件系统的Flash存储器中 , 让系统脱机运行 , 这是许多DSP开发人员及初学者遇到并需要解决的问题 。
从JTAG接口对DSP外部Flash的编程方法不只一种 。本文以TMS320C6711-150 DSK板为例 , 介绍“在线仿真状态下”对Flash的编程 。
1 Flash存储器的擦除
Flash编程之前 , 应对Flash进行擦除 , 使其每个数据位都恢复为1状态 , 即全FF状态 。对Flash的擦除操作需要6个总线周期 , 总线时序如图1 。

基于TMS320C6711-150 DSK板对Flash存储器实现编程
文章插图
从图1可知 , 各总线周期的操作为:
第一总线周期——向2AAAH地址的存储单元写入数据55H;
第二总线周期——向2AAAH地址的存储单元写入数据55H;
第三总线周期——向5555H地址的存储单元写入数据80H;
第四总线周期——向5555H地址的存储单元写入数据AAH;
第五总线周期——向2AAAH地址的存储单元写入数据55H;
第六总线周期——向5555H地址的存储单元写入数据10H 。
完成上述操作后 , Flash存储器被完全擦除 , 内部数据恢复为初始状态 , 全为FFH 。
在TMS320C6711中 , 用C语言完成上述操作为:
void erase_flash()
{
*(unsigned volatile char*)FLASH_ADR1=0x00aa;
*(unsigned volatile char*)FLASH_ADR2=0x0055;
*(unsigned volatile char*)FLASH_ADR1=0x0080;
*(unsigned volatile char*)FLASH_ADR1=0x00aa;
*(unsigned volatile char*)FLASH_ADR2=0x0055;
*(unsigned volatile char*)FLASH_ADR1=0x0010;
}
在TMS320C6711系统中 , Flash所在地址段为CE1空间 , 其开始地址为0x90000000 。这样 , 其中的FLASH_ADR1、FLASH_ADR2在头文件中被定义为:
#define FLASH_ADR1 0x90005555
#define FLASH_ADR2 0x90002AAA
需要说明的是 , 在对Flash进行擦除时 , 应对DSP及EMIF外存储器接口进行初始化 , CE1空间定义为8位读写模式 。
初始化函数如下:
void c6x11_dsk_init(){ /*DSP和EMIF初始化*/
CSR=0x100; /*禁止所有中断*/
IER=1; /*禁止除NMI外的所有中断*/
ICR=0xffff; /*清除所有未完成的中断*/
*(unsigned volatile int *)EMIF_GCR=0x3300;
*(unsigned volatile int *)EMIF_CE0=0x30;
*(unsigned volatile int*)EMIF_CE1=0xffffff03;
*(unsigned volatile int*)EMIF_SDCTRL=0x07227000;
*(unsigned volatile int*)EMIF_SDRP=0x61a;
*(unsigned volatile int*)EMIF_SDEXT=0x54529;
}
2 Flash存储器的编程
对Flash存储器进行字节编程之前 , 需要对它进行3个周期的编程指令操作 , 总线时序如图2 。

基于TMS320C6711-150 DSK板对Flash存储器实现编程
文章插图
从图2可知 , 各总线周期的操作如下:
第一总线周期——向5555H地址的存储单元写入数据AAH;
第二总线周期——向2AAAH地址的存储单元写入数据55H;
第三总线周期——向5555H地址的存储单元写入数据A0H;
第四总线周期——向地址的存储单元写入编程数据;
……
在TMS320C6711中 , 用C语言完成上述操作为:
/*---------------------------------------------------------------------*/
/*入口参数:pattern[]:数组 , 用于存储编程数据*/
*/ start_address:所要编程的起始地址指针*/
/* page_size:所要编程的Flash的页面尺寸*/
/*出口参数:无*/
/*---------------------------------------------------------------------*/
void flash_page_prog(unsigned char pattern[] , unsigned volatile char *start_address , int page_size){
volatile int i;
unsigned volatile char *flash_ptr=start_address;
*(unsigned volatile char *)FLASH_ADR1=FLASH_KEY1;
*(unsigned volatile char *)FLASH_ADR2=FLASH_KEY2;
*(unsigned volatile char *)FLASH_ADR1=FLASH_KEY3;
for(i=0;i *flash_ptr++=pattern;
}
其中 , FLASH_KEY1、FLASH_KEY2、FLASH_KEY3的定义如下:
#define FLASH_KEY1 0xAA
#define FLASH_KEY2 0x55
#define FLASH_KEY3 0xA0
3 校验和的计算与编程原理
(1)校验和的计算
在程序中 , 应对Flash编程的正确性进行自动检查 , 把编程前数据的校验和编程后Flash中读出数据的校验和进行比较:如果相同 , 则编程成功;如果不相同 , 则编程失败 。需要注意的是 , 在对Flash进行编程的过程中 , 不能用CCS2.0中的“VIEW/MEMORY…”功能看Flash中的编程数据 , 这样会导致一会地址编程的失败 。
其C语言程序如下:
/*----------------------------------------------------------------------*/
/*入口参数:start_address:所要校验的起始地址*/
/* size_in_byte:所要校验的Flash数据字节数*/
/*出口参数:lchecksum:校验和 */
/*----------------------------------------------------------------------*/
int flash_checksum(int start_address , int size_in_byte){
int i;
int lchecksum;
unsigned volatile char*flash_ptr=(unsigned volatile char*)
start_address;
int temp;
i=0;
lchecksum=0;
【基于TMS320C6711-150 DSK板对Flash存储器实现编程】 while(i
temp=*flash_ptr++;
temp&=0xff;
lchecksum=lchecksum+temp;
i++;
}
return lchecksum;
}
(2)编程原理
基本原理是:在仿真状态下 , 在PC机上运行DSP编程软件 , 由运行的DSP通过JTAG口从PC机上读入待编程的十六进制数据文件 , 由DSP将其写入到其外部Flash中 , 即完成用户数据文件的烧写工作 。
4 编程数据的读入及编程
编程时 , 由DSP程序从终端仿真计算机上打开要编程的十六进制文件 , 从十六进制文件中依次读入编程数据 , 并由DSP将其写入到其外部Flash中 , 程序段如下:
while(data_flag=0){
display_count++;
if(display_count==DISPLAY_SIZE){
display_count=0;
/*printf(“ 。”);*/
}
for(i=0;i
j=fscanf(hex_fp , “%x” , &data);/*从文件中读入编程数据 , 每次取一个字节*/
if(j==EOF||j==0){
data_flag=1;
break;
}
host_buffer=data;
checksum+=data;
flash_addr+=1;
if(falsh_addr》0x90020001){
printf(“ERROR:beyond valid flash address!”);
}
}
//写入Flash
ptr=(unsigned volatile char *)(flash_addr-0x80);
if(data_flasg==0){
length=FLASH_WRITE_SIXZE;
flash_page_prog(host_buffer , ptr , length);
printf(“Programming address:%x” , flash_addr-0x80);
}
}
注意:所采用的十六进制文件应使用“Hex6x.exe”命令 , 并在hex.cmd命令文件中使用“-a”参数生成的文件;指定的存储器长度必须能被128整数(len参数能被128整除) 。因为AT29LV010A以扇区为操作单位 , 每个扇区为128字节 , 共1024个扇区 , 其格式如下:

-map hex.map
-a
-image
-zero
-memwidth 8
ROMS
{
FLASH:org=0x90000000 , len=0x20000 , romwidth=8 , files={test.hex}
}

5 仿真运行
将上述程序组成一个完整的程序 , 经过编译、链接(Project/Build命令)后 , 使用“File/Load Program. 。。”将编程代码Load到DSP中 , 运行程序 , 经过几分种后即编程完毕 。
结语
对DSP外部Flash编程虽不是一项关键技术 , 但它在整个DSP嵌入式系统开发中却有着至关重要的作用 。如果开发者在设计之初就掌握了这项技术 , 就会大大方便系统的调试 , 缩短开发时间 。
责任编辑:gt

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