igbt模块的作用
IGBT非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域 。
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点 。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小 ， 开关速度快，但导通压降大，载流密度小 。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低 。
一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构 ， N加 区称为源区，附于其上的电极称为源极 。N加 区称为漏区 。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极 。沟道在紧靠栅区边界形成 。在漏、源之间的P 型区(包括P加 和P 一区)(沟道在该区域形成)，称为亚沟道区( Subchannel region ) 。而在漏区另一侧的P+ 区称为漏注入区( Drain injector )，它是IGBT 特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压 。附于漏注入区上的电极称为漏极 。IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道 ， 给PNP 晶体管提供基极电流，使IGBT 导通 。反之 ， 加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT 关断 。IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同，只需控制输入极N一沟道MOSFET，所以具有高输入阻抗特性 。当MOSFET 的沟道形成后 ， 从P加 基极注入到N 一层的空穴(少子)，对N 一层进行电导调制，减小N 一层的电阻，使IGBT 在高电压时，也具有低的通态电压 。
【igbt模块的作用】
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