快速 150V 高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器 提供 100% 占空比能力
【快速 150V 高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器 提供 100% 占空比能力】 加利福尼亚州米尔皮塔斯 （MILPITAS， CA） 和马萨诸塞州诺伍德 （NORWOOD， MA） – 2017 年 7 月 6 日 – 亚德诺半导体 （Analog Devices， Inc.，简称 ADI） 旗下凌力尔特公司 （Linear Technology CorporaTIon） 推出高速、高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器 LTC7001，该器件以高达 150V 电源电压运行 。其内部充电泵全面增强了外部 N 沟道 MOSFET 开关，使其能够保持无限期接通 。LTC7001 强大的 1Ω 栅极驱动器可凭借非常短的转换时间和 35ns 传播延迟，非常方便地驱动栅极电容很大的 MOSFET，因此很适合高频开关和静态开关应用 。
LTC7001 用来接收以地为基准的低压数字输入信号，并快速驱动一个漏极电压可能在 0V 至 135V （绝对最大值为 150V） 之间的高压侧 N 沟道功率 MOSFET 。LTC7001 在 3.5V 至 15V 的驱动器偏置电源范围内运行，具可调欠压闭锁 。当驱动一个 1000pF 负载时，快速 13ns 上升和下降时间最大限度降低了开关损耗 。其他特点包括可调接通转换率和可调过压闭锁 。
LTC7001 采用 MSOP-10 封装，其引线配置为提供高压间隔 。该器件有 3 种工作结温级版本，扩展和工业级版本的温度范围为 –40°C 至 125°C，高温汽车级版本则为 –40°C 至 150°C，军用级版本为 –55°C 至 150°C 。千片批购价为每片 2.40 美元 。如需更多信息，请登录。
照片说明：快速 150V 高压侧 N 沟道 MOSFET 静态开关驱动器
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