开关电源设计之MOS管反峰及RCD吸收回路
对于一位开关电源工程师来说，在一对或多对相互对立的条件面前做出选择，那是常有的事 。而我们今天讨论的这个话题就是一对相互对立的条件 。（即要限制主MOS管反峰，又要RCD吸收回路功耗）
在讨论前我们先做几个假设：
① 开关电源的工作频率范围:20~200KHZ；
② RCD中的二极管正向导通时间很短（一般为几十纳秒）；
③ 在调整RCD回路前主变压器和MOS管，输出线路的参数已经完全确定 。
有了以上几个假设我们就可以先进行计算：
一﹑首先对MOS管的VD进行分段：
ⅰ，输入的直流电压VDC；
ⅱ，次级反射初级的VOR；
ⅲ，主MOS管VD余量VDS；
ⅳ，RCD吸收有效电压VRCD1 。
二﹑对于以上主MOS管VD的几部分进行计算：
ⅰ，输入的直流电压VDC 。
在计算VDC时，是依输入电压值为准 。如宽电压应选择AC265V，即DC375V 。
VDC＝VAC *√2
ⅱ，次级反射初级的VOR 。
VOR是依在次级输出电压,整流二极管压降时计算的，如输出电压为：5.0V±5%（依Vo =5.25V计算），二极管VF为0.525V（此值是在1N5822的资料中查找额定电流下VF值）．
VOR＝(VFVo)*Np/Ns
ⅲ，主MOS管VD的余量VDS．
VDS是依MOS管VD的10%为值．如KA05H0165R的VD=650应选择DC65V．
VDC＝VD* 10%
ⅳ，RCD吸收VRCD．
MOS管的VD减去ⅰ，ⅲ三项就剩下VRCD的值 。实际选取的VRCD应为值的90%（这里主要是考虑到开关电源各个元件的分散性，温度漂移和时间飘移等因素得影响） 。
VRCD＝(VD-VDC -VDS)*90%
注意：① VRCD是计算出理论值，再通过实验进行调整，使得实际值与理论值相吻合．
② VRCD必须大于VOR的1.3倍．（如果小于1.3倍，则主MOS管的VD值选择就太低了）
③ MOS管VD应当小于VDC的2倍．（如果大于2倍，则主MOS管的VD值就过大了）
④ 如果VRCD的实测值小于VOR的1.2倍，那么RCD吸收回路就影响电源效率 。
⑤ VRCD是由VRCD1和VOR组成的
RC时间常数τ确定．
τ是依开关电源工作频率而定的，一般选择10~20个开关电源周期 。
三﹑试验调整VRCD值
首先假设一个RC参数，R=100K/RJ15, C="10nF/1KV" 。再上市电，应遵循先低压后高压，再由轻载到重载的原则 。在试验时应当严密注视RC元件上的电压值，务必使VRCD小于计算值 。如发现到达计算值，就应当立即断电，待将R值减小后，重复以上试验 。（RC元件上的电压值是用示波器观察的，示波器的地接到输入电解电容“＋”极的RC一点上，测试点接到RC另一点上） 。一个合适的RC值应当在输入电压，重的电源负载下，VRCD的试验值等于理论计算值 。
四﹑试验中值得注意的现象
输入电网电压越低VRCD就越高，负载越重VRCD也越高 。那么在输入电压，重负载时VRCD的试验值如果大于以上理论计算的VRCD值，是否和（三）的内容相矛盾哪？一点都不矛盾，理论值是在输入电压时的计算结果，而现在是低输入电压 。重负载是指开关电源可能达到的负载 。主要是通过试验测得开关电源的极限功率 。
五﹑RCD吸收电路中R值的功率选择
R的功率选择是依实测VRCD的值，计算而得 。实际选择的功率应大于计算功率的两倍 。
编后语：RCD吸收电路中的R值如果过小，就会降低开关电源的效率 。然而，如果R值如果过大，MOS管就存在着被击穿的危险 。
推荐阅读
- 家里的灯光这样设计 家居风水会更旺
- 家居风水之大门、厅堂、卧室风水布局
- 卧室装修设计风水六禁忌
- 别墅大门风水设计的禁忌事项
- 儿童房墙纸贴装饰图 腰线墙纸搭配设计
- 迷人设计风格婚房 婚房效果图欣赏
- DC/DC电源转换器设计原理介绍
- 关于在降低设计功耗的过程中如何利用控制器功能
- 弧形电视背景墙怎么样 如何设计
- 长方形卧室隔断如何巧妙设计