实例分析：晶振为什么不能放置在PCB边缘？
某行车记录仪 ， 测试的时候要加一个外接适配器 ， 在机器上电运行测试时发现超标 ， 具体频点是84MHz、144MHz、168MHz ， 需要分析其辐射超标产生的原因 ， 并给出相应的对策 。辐射测试数据如下：图1：辐射测试数据
辐射源头分析
该产品只有一块PCB ， 其上有一个12MHz的晶体 。其中超标频点恰好都是12MHz的倍频 ， 而分析该机器容易EMI辐射超标的屏和摄像头 ， 发现LCD-CLK是33MHz ， 而摄像头MCLK是24MHz；通过排除发现去掉摄像头后 ， 超标点依然存在 ， 而通过屏蔽12MHz晶体 ， 超标点有降低 ， 由此判断144MHz超标点与晶体有关 ， PCB布局如下：图2：PCB布局图
辐射产生的原理
从PCB布局可以看出 ， 12MHz的晶体正好布置在了PCB边缘 ， 当产品放置于辐射发射的测试环境中时 ， 被测产品的高速器件与实验室中参考地会形成一定的容性耦合 ， 产生寄生电容 ， 导致出现共模辐射 ， 寄生电容越大 ， 共模辐射越强；而寄生电容实质就是晶体与参考地之间的电场分布 ， 当两者之间电压恒定时 ， 两者之间电场分布越多 ， 两者之间电场强度就越大 ， 寄生电容也会越大 ， 晶体在PCB边缘与在PCB中间时电场分布如下：
图3：PCB边缘的晶振与参考接地板之间的电场分布示意图图4：PCB中间的晶振与参考接地板之间的电场分布示意图从图中可以看出 ， 当晶振布置在PCB中间 ， 或离PCB边缘较远时 ， 由于PCB中工作地（GND）平面的存在 ， 使大部分的电场控制在晶振与工作地之间 ， 即在PCB内部 ， 分布到参考接地板的电场大大减小 ， 导致辐射发射就降低了 。
处理措施
将晶振内移 ， 使其离PCB边缘至少1cm以上的距离 ， 并在PCB表层离晶振1cm的范围内敷铜 ， 同时把表层的铜通过过孔与PCB地平面相连 。经过修改后的测试结果频谱图如下 ， 从图可以看出 ， 辐射发射有了明显改善 。
思考与启示
高速的印制线或器件与参考接地板之间的容性耦合 ， 会产生EMI问题 ， 敏感印制线或器件布置在PCB边缘会产生抗扰度问题 。如果设计中由于其他一些原因一定要布置在PCB边缘 ， 那么可以在印制线边上再布一根工作地线 ， 并多增加过孔将此工作地线与工作地平面相连 。
-END-【实例分析：晶振为什么不能放置在PCB边缘？】
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