新突破！三星量产100+层V-NAND 未来还有300层
8月6日 ， 三星电子宣布已开始批量生产250千兆字节(SATA)固态硬盘(SSD) ， 该硬盘集成了该公司的第六代(1xx层)256Gb ， 适用于全球PCOEM的三位V-NAND 。通过在短短13个月内推出新一代V-NAND ， 三星已将批量生产周期缩短了四个月 ， 同时确保了业界最高的性能 ， 功效和制造生产率 。
三星电子解决方案产品与开发执行副总裁Kye HyunKyung说：“随着下一代V-NAND产品的开发周期加快 ， 我们计划快速扩展我们的高速 ， 高容量512Gb V-NAND解决方案的市场 。”
具有100多层设计的唯一单堆栈3D存储器芯片
三星的第六代V-NAND具有业界最快的数据传输速率 ， 充分利用该公司独特的制造优势 ， 将3D内存提升到新的高度 。
【新突破！三星量产100+层V-NAND 未来还有300层】利用三星独特的“通道孔蚀刻”技术 ， 新型V-NAND可将先前9x层单层结构的单元数量增加约40% 。这是通过构建由136层组成的导电模具堆叠 ， 然后从顶部到底部垂直穿透圆柱形孔来实现的 ， 从而产生均匀的3D电荷捕获闪光(CTF)单元 。
随着每个单元区域中的模具堆叠的高度增加 ， NAND闪存芯片往往更容易受到错误和读取延迟的影响 。为了克服这些限制 ， 三星采用了速度优化的电路设计 ， 使其能够实现最快的数据传输速度 ， 写入操作低于450微秒(μs) ， 读取低于45μs 。与上一代产品相比 ， 性能提升了10%以上 ， 同时功耗降低了15%以上 。
得益于这种速度优化设计 ， 三星将能够在不影响芯片性能或可靠性的情况下 ， 通过安装三个电流堆栈 ， 提供超过300层的下一代V-NAND解决方案 。
此外 ， 创建256Gb芯片密度所需的通道孔数量已从上一代的9.3亿个减少到6.7亿个孔 ， 从而减小了芯片尺寸并减少了工艺步骤 。这使制造业生产率提高了20%以上 。
利用高速和低功耗特性 ， 三星不仅计划将其3D V-NAND的范围扩展到下一代移动设备和企业服务器等领域 ， 而且还扩展到高可靠性至关重要的汽车市场 。
继今天推出250GB SSD之后 ， 三星计划在今年下半年推出512Gb三比特V-NANDSSD和eUFS 。该公司还计划从明年起在其Pyeongtaek(韩国)园区扩大更高速和更大容量的第六代V-NAND解决方案的生产 ， 以更好地满足全球客户的需求 。
参考：三星V-NAND批量生产时间表
推荐阅读
- 2021年5大最佳游戏本推荐测评【5个方面需看清，新手要知道的几个技巧】
- 翻新族看过来！卫生间翻新那些事儿！
- 真没挽留丧失的感情，教你3个方式，让她对你重新点燃爱的火焰
- 新兵来袭！微信、抖音集体杀入快递业，暗藏何底牌？
- 上市即巅峰，新氧“缺氧”
- 选择的五个技巧，详情分析在这里 音特美ER4B小评，顺便说说新老ER4P功能性价比
- 华为丁耘：构建面向ToB业务的能力抢占5G ToB新蓝海
- 支付宝蚂蚁新村如何摆摊？怎么玩？
- 蚂蚁新村能量豆怎么快速增加？这里告诉你
- 三星新款Galaxy Book曝光：首批搭载英特尔12代酷睿芯片 还有DDR5内存