瑞萨电子推出低功耗DDR5数据缓冲器，可实现先进的控制平面架构
2020 年 9 月 9 日 ， 日本东京讯 - 全球领先的半导体解决方案及内存接口产品供应商瑞萨电子集团今日宣布 ， 面向数据中心、服务器和高性能工作站应用推出全新高速、低功耗的DDR5数据缓冲器 。
【瑞萨电子推出低功耗DDR5数据缓冲器，可实现先进的控制平面架构】
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在过去几年中 ， 实时分析、机器学习、HPC、AI及其它对内存和带宽要求极高的应用飞速发展 ， 推动了服务器内存带宽需求的爆炸性增长 ， 而减载双列直插内存模组（LRDIMM）已成为推动这些应用发展的内存技术的基石 。瑞萨全新兼容JEDEC的DDR5数据缓冲器5DB0148可为LRDIMM显著提升速度并降低延迟 。基于瑞萨组件的第一代DDR5 LRDIMM ， 与运行在3200MT/s的DDR4 LRDIMM相比 ， 带宽增加35%以上 。
瑞萨电子数据中心事业部副总裁Rami Sethi表示：“作为业界完整的DDR5解决方案供应商 ， 我们与客户及生态系统合作伙伴紧密合作 ， 将丰富的内存解决方案产品投入量产 。瑞萨DDR5数据缓冲器对于LRDIMM、其他类型的高密度模组和多样化存储等高性能DRAM解决方案至关重要 ， 使得新一代高性能计算应用成为可能并更加完善 。”
瑞萨DDR5数据缓冲器通过降低容性负载、数据对准和信号恢复技术的组合 ， 使重载通道的系统眼图最大化 。这使具有大量内存通道和插槽以及复杂路由拓扑的服务器主板即使在高密度内存满载的情况下 ， 也能够以最高速度运行 。此外 ， DDR5模组定义的改进允许更低的电源电压（DDR5中为1.1V ， DDR4中则为1.2V）、DIMM模组内电压调节以及通过使用SPD集线器和现代控制总线通信（如I3C）来实现先进的控制平面架构 。
自双列直插式内存模组问世以来 ， 瑞萨作为业界资深的内存接口产品供应商 ， 始终致力于完整芯片组解决方案的研发 。作为整体产品家族的一部分 ， 经过优化的全新瑞萨DDR5数据缓冲器5DB0148 ， 可与LRDIMM存储器模组上的其它瑞萨DDR5组件无缝对接 ， 包括电源管理芯片P8900、寄存时钟驱动器5RCD0148、SPD集线器SPD5118以及温度传感器TS5111 ， 确保部署瑞萨芯片组解决方案的内存供应商获得完整的互操作性和稳定的质量 。
责任编辑：gt
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