STT-MRAM自旋磁阻内存升级GF 12nm工艺
进一步升级到12nm，自然有利于进一步提升MRAM的容量密度，并继续降低成本，尤其是随着MRAM芯片容量的提高，迫切需要更先进的工艺。GF12nm工艺包括12LP、12LP+两个版本，虽然算不上多先进但也有...
STT-MRAM则进一步通过自旋电流实现数据写入 ， 具备结构简单、成本低、损耗小、速度快等一系列优点 ， 只是容量密度提升困难 ， 所以想取代内存、闪存暂时不现实 ， 但非常适合用在各种嵌入式领域 。
【STT-MRAM自旋磁阻内存升级GF 12nm工艺】 GF、Everspin的良好合作由来已久 ， 2012年的第一代STT-MRAM就是用GF 40nm制造的 ， 单颗容量32MB ， 2019年的第二代则升级为GF 28nm ， 单颗容量翻了两番达到128MB 。
就在日前 ， GF 22FDX工艺成功试产了eMRAM ， -40℃到125℃环境下可工作10万个周期 ， 数据保持可长达10年 。
进一步升级到12nm ， 自然有利于进一步提升MRAM的容量密度 ， 并继续降低成本 ， 尤其是随着MRAM芯片容量的提高 ， 迫切需要更先进的工艺 。
GF 12nm工艺包括12LP、12LP+两个版本 ， 虽然算不上多先进但也有广阔的用武之地 。
