电源研发的过程中的常见问题
在电源研发的过程中，我们总会遇到这样或者那样的问题，这里有大牛多年研发电源问题及解答，一起学习吧！
问题一
我们小功率用到最多的反激电源，为什么我们常常选择 65K 或者 100K（这些频率段附近）作为开关频率？有哪些原因制约了？或者哪些情况下我们可以增大开关频率？或者减小开关频率？
开关电源为什么常常选择 65K 或者 100K 左右范围作为开关频率，有的人会说 IC 厂家都是生产这样的 IC，当然这也有原因 。每个电源的开关频率会决定什么？
应该从这里去思考原因 。还会有人说频率高了 EMC 不好过，一般来说是这样，但这不是必然，EMC 与频率有关系，但不是必然 。想象我们的电源开关频率提高了，直接带来的影响是什么？当然是 MOS 开关损耗增大，因为单位时间开关次数增多了 。如果频率减小了会带来什么？开关损耗是减小了，但是我们的储能器件单周期提供的能量就要增多，势必需要的变压器磁性要更大，储能电感要更大了 。选取在 65K 到 100K 左右就是一个比较合适的经验折中，电源就是在折中合理化折中进行 。
假如在特殊情形下，输入电压比较低，开关损耗已经很小了，不在乎这点开关损耗吗，那我们就可以提高开关频率，起到减小磁性器件体积的目的 。
本贴关键：如何选择合适 IC 的开关频率？主流 IC 的开关频率为什么是大概是这么一些范围？开关频率和什么有关，说的是普遍情况，不是想钻牛角尖好多 IC 还有什么不同的频率 。更多的想发散大家思维去注意到这些问题！
我这里想说的普遍情况，主要想提的是开关频率和什么有关，如何去选择合适开关频率，为什么主流 IC 以及开关频率是这么多，注意不是一定，是普遍情况，让新手区理解一般行为，当然开关电源想怎么做都可以，要能合理使用 。
1、你是如何知道一般选择 65 或者 100KHZ，作为开关电源的开关频率的？（调研普遍的大厂家主流 IC，这二个会比较多，当然也有一些在这附近，还有一些是可调的开关频率）
2、又是如何在工作中发现开关电源开关频率确实工作在 65KHZ，或 100KHZ 的 。（从设计角度考量，普遍电源使用这个范围）
3、有两张以上的测试 65KHZ100KHZ 频率的图片说明吗？（何止二张图片，毫无意义）
4、你是否知道开关电源可以工作在 1.5HZ.（你觉得这样谈有必要，工作没有什么不可以，纯熟钻牛角尖，做技术切记钻牛角尖，那你能谈谈为什么普遍电源不工作在 1.5HZ，说这个才有意义，你做出 1.5HZ 的电源纯属毫无意义的事情）
提醒：做技术人员切记钻牛角尖，咱们不是校园研究派，是需要将理论与实践现结合起来，做出来的产品才是有意义的产品！
问题二
LLC 中为什么我们常在二区设计开关频率？一区和三区为什么不可以？有哪些因素制约呢？或者如果选取一区和三区作为开关频率会有什么后果呢？
LLC 的原理是利用感性负载随开关频率的增大而感抗增大，来进行调节输出电压的，也就是 PFM 调制 。并且 MOS 管开通损耗 ZVS 比 ZCS 小，一区是容性负载区，自然不可取 。那么三区，开关频率大于谐振频率，这个仍是感性负载区，按道理 MOS 实现 ZVS 没有问题，确实如此 。但是我们不能忽略副边的输出二极管关断 。也就是原边 MOS 管关断时，谐振电流并没有减小到和励磁电流相等，实现副边整流二极管软关断 。这也是我们通常也不选择三区的原因 。
我们不能只按前人的经验去设计，而要知道只所以这样设计是有其必然的道理的！
问题三
当我们反激的占空比大于 50%会带来什么？好的方面有哪些？不好的方面有哪些？
反激的占空比大于 50%意味着什么，占空比影响哪些因素？第一：占空比设计过大，首先带来的是匝比增大，主 MOS 管的应力必然提高 。一般反激选取 600V 或 650V 以下的 MOS 管，成本考虑 。占空比过大势必承受不起 。
第二点：很重要的是很多人知道，需要斜坡补偿，否则环路震荡 。不过这也是有条件的，右平面零点的产生需要工作在 CCM 模式下，如果设计在 DCM 模式下也就不存在这一问题了 。这也是小功率为什么设计在 DCM 模式下的其中一个原因 。当然我们设计足够好的环路补偿也能克服这一问题 。
当然在特殊情形下也需要将占空比设计在大于 50%，单位周期内传递的能量增加，可以减小开关频率，达到提升效率的目的，如果反激为了效率做高，可以考虑这一方法 。
问题四
反激电源如果要做到一定的效率，需要从哪些方面着手？准谐振？同步整流？
反激的一大劣势就是效率问题，改善效率有哪些途径可以思考的呢？减小损耗是必然的，损耗的点有开关管，变压器，输出整流管，这是主要的三个部分 。
开关管我们知道反激主要是 PWM 调制的硬开关居多，开关损耗是我们的一大难点，好在软开关的出现看到了希望 。反激无法向 LLC 那样做到全谐振，那只能朝准谐振去发展（部分时间段谐振），这样的 IC 也有很多问世，我司用的较多是 NCP1207，通过在 MOS 管关断后，下一次开通前 1 脚检测 VCC 电压过零后，然后在一个设定时间后开通下一周期 。
变压器的损耗如何做到最小，完美使用的变压器后面问题会涉及到 。
同步整流一般在输出大电流情况下，副边整流流二极管，哪怕用肖特基损耗依然会很大，这时候采用同步整流 MOS 替代肖特基二极管 。有些人会说这样成本高不如用 LLC，或者正激呢，当然没有最好的，只有更合适的 。
问题五
电源的传导是怎么形成的？传导的途径有哪些？常用的手段？电源的辐射受哪些东西影响？怎么做大功率的 EMC 。
电源传导测量方式是通过接收输入端口 L，N，PE 来自电源内部的高频干扰（一般 150K 到 30M） 。
解决传导必须弄清楚通过哪些途径减弱端口接收到的干扰 。
文章插图
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如图：一般有二种模式：L，N 差模成分，以及通过 PE 地回路的共模成分 。有些频率是差共模均有 。
通过滤波的方式：一般采用二级共模搭配 Y 电容来滤去，选择的方式技巧也很重要，布板影响也很大 。一般靠近端口放置低 U 电感，最好是镍锌材质，专门针对高频，绕线方式采用双线并绕，减少差模成分 。后级一般放置感量较大，在 4MH 到 10MH 附近，只是经验值，具体需要与 Y 电容搭配 。X 电容滤差模也需要靠近端口，一般放在二级共模中间 。放置 Y 电容，电容布板时走线需要加粗，不可外挂，否则效果很差 。（这些只是输入滤波网络上做文章）
当然也可以从源头上下手，传导是辐射耦合到线路中的结果，减弱了开关辐射也能对传导带来好处 。影响辐射的几处一般有 MOS 管开通速度，整流管导通关断，变压器，以及 PFC 电感等等 。这些电路上的设计需要与其他方面折中不做详述 。
一些经验技巧：针对大功率的 EMC 一般需要增加屏蔽，立竿见影，屏蔽的部位一般有几处选择：
第一：输入 EMI 电路与开关管间屏蔽，这对 EMC 有很大的作用，很多靠滤波器无效的采用该方法一般很有效果 。
第二：变压器初次级屏蔽，一般设计变压器若有空间最好加上屏蔽 。
第三：散热器的位置能很好充当屏蔽，合理布板利用，散热器接地选择也很重要 。
第四：判断辐射源头位置，一般有几个简单的方法，不一定完全准确，可以参考，输入线套磁环若对 EMC 有好处，一般是原边 MOS 管，输出线套磁环若对 EMC 有效果，一般是副边输出整流管，尤其是大于 100M 的高频 。可以考虑在输出加电容或者共模电感 。
当然还有很多其他的细节技巧，尤其是布板环路方面的，后面对 LAYOUT 会单独讲解 。
问题六
我们选择拓扑时需要考虑哪些方面的因素？各种拓扑使用环境及优缺点？
设计电源的第一步不知道大家会想到什么呢？我是这么想，细致研究客户的技术指标要求，转换为电源的规格书，与客户沟通指标，不同的指标意味着设计难度和成本，也是对我提出的问题有很大的影响，选择拓扑时根据我们的电源指标结合成本来考虑的，哪常用的几种拓扑特点在哪呢 ？
这里主要谈隔离式，非隔离式应用有限，当然也是成本最低的 。
反激特点：适用在小于 150W，理论这么说，实际大于 75W 就很少用，不谈很特殊的情况 。反激的有点成本低，调试容易（相对于半桥，全桥），主要是磁芯单向励磁，功率由局限性，效率也不高，主要是硬开关，漏感大等等原因 。全电压范围（85V-264V）效率一般在 80%以下，单电压达到 80%很容易 。
正激特点：功率适中，可做中小功率，功率一般在 200W 以下，当然可以做很大功率，只是不常常这么做，原因是正激和反激一样单向励磁，做大功率磁芯体积要求大，当然采用 2 个变压器串并联的也有，注意只谈一般情形，不误导新人 。正激有点，成本适中，当然比反激高，优点效率比反激高，尤其采用有源箝位做原边吸收，将漏感能量重新利用 。
半桥：目前比较火的是 LLC 谐振半桥，中小功率，大功率通吃型 。（一般大于 100W 小于 3KW） 。特点成本比反激正激高，因为多用了 1 个 MOS 管（双向励磁）和 1 个整流管，控制 IC 也贵，环路设计业复杂（一般采用运放，尤其还要做电流环） 。优点：采用软开关，EMC 好，效率极高，比正激高，我做过 960W LLC，效率可达 96%以上（全电压）（当然 PFC 是采用无桥方式） 。其它半桥我不推荐，至少我不会去用，比较老的不对称桥，很难做到软开关，LLC 成熟以前用的多，现在很少用，至少艾默生等大公司都倾向于 LLC，跟着主流走一般都不会错 。
全桥：一般用在大于 2KW 以上，首推移相全桥，特点，双向励磁，MOS 管应力小，比 LLC 应力小一半，大功率尤其输入电压较高时，一般用移相全桥，输入电压低用 LLC 。成本特别高，比 LLC 还多用 2 个 MOS 。这还不是首要的，主要是驱动复杂，一般的 IC 驱动能力都达不到，要将驱动放大，采用隔离变压器驱动，这里才是成本高的另一方面 。
推挽：应用在大功率，尤其是输入电压低的大功率场合，特点电压应力高，当然电流应力小，大功率用全桥还是推挽一般看输入电压 。变压器多一个绕组，管子应力要求高，当然常提到的磁偏磁也需要克服 。这个我真没用过，没涉及电力电源，很难用到它的时候 。
问题七
考虑电源成本时，我们要从哪里下手呢？
设计电源，成本评估必不可少，目前客户将电源的成本压得很低，各大竞争对手无不都在打价格战，大家都能做出电源来，就看谁做得更便宜，才能赢得订单，从哪些方面入手有利于我们陈本呢：
第一：技术指标 。电源技术指标越高，成本越高，如果你的电源成本高了，那你可以打你的性能指标卖点，多了性能要求，电路增多了成本自然高 。也是和客户谈话的资本 。
第二：物料采购成本，为什么大公司电源利润高？无非是他们有着优越的采购平台，采购量大，物料成本低，当然成本更低 。如果不考虑采购，作为工程师必须弄清楚不同物料对应的成本，比如能用贴片，少用插件，（比如插件电阻比贴片成本高），能用国产，不用台资，能用台资不用日系，这里的价格差异不菲 。（比如日系电容比国产电容价格高几倍不止！！！当然质量也有差异；）
第三：影响成本的重要器件：变压器，电感，MOS 管，电容，光耦，二极管及其他半导体器件，IC 等 。不同的变压器厂家绕出来的变压器价格差异很大，MOS 管应力，热阻选择够用就行，IC 方案的成本等等
其它方面导致成本问题：器件散热器，大小合适，多了就是浪费钱 。PCB 布板，能用单面板用成双面板就是浪费钱，PCB 布板工艺，选择合理的工艺加工成本低，生产效率高 。
问题八
电源的环路设计，电源哪些部分影响电源的环路？好的环路有哪些指标决定？
电源的环路设计一直是一个难点，为什么这么说，因为主要影响的因素太多，理论计算很难做到准确，仿真也是基于理想化模型，在这里只谈关于环路设计的一些影响因素，从定性的角度去理解环路以及怎么去做环路补偿 。
环路是基于输入输出波动时，需要通过反馈，环路相应告知控制 IC 去调节，维持输出的稳定 。电源环路一般都是串联负反馈，有的是电压串联负反馈（CC 模式下），有的是电流串联负反馈（CV 模式下） 。
那有哪些地方会影响环路呢？电路中的零点以及极点 。零点一般会导致增益上升，引起 90 度相移（右半平面零点会引起 -90 度相移） 。极点一般会导致增益下降，引起 -90 度相移，左半平面极点会引起系统震荡 。所以我们需要借助零点极点补偿手段去合理调控我们的环路 。对于低频部分，为了满足足够增益一般引入零点补偿，对于高频干扰一般引入极点补偿去抵消，减少高频干扰 。
环路稳定的原则是：1. 在穿越频率处（即增益为零 dB 时的频率），系统的相位余量大于 45 度 。
2. 在相位达到 -180 度时增益的余量大于 -12dB.3. 避免过快的进入穿越频率，在进入穿越频率附近的曲线斜率为 -1.
针对一般反激电路：1. 产生零点的有输出滤波电容 ：可以使环路增益上升 。（一般在中频 4K 左右，对增益有好处，无需补偿）
2. 若工作在 CCM 模式下还会产生右半平面零点 。在高频段，可采用极点补偿 。这个一般很难补偿，尽量避免，让穿越频率小于右半平面零点频率（15K 左右，随负载变化会变化），选取 3. 负载会产生低频极点 。采用低频零点去补偿 。4.LC 滤波器会产生低频极点，需要采用零点补偿 。在心中要清楚哪些零极点是利是弊，针对性补偿 。
补偿的电路，针对电源环路来说比较简单，一般采用对运放采用 2 型补偿，也有的会采用 3 型补偿很少用 。
问题九
对各种拓扑的软开关形式有哪些？软开关是如何实现的？
软开关目前使用很频繁，一来可以提升次效率，二来可以利于 EMC 。很多拓扑都开始利用软开关了，就连反激如果为了做高效率也引入了准谐振来实现软开关，这个在前面问题已讲过 。LLC 的软开关在前面问题也提过实现条件，具体实现过程没有细讲 。这里就分享下我对软开关的理解 。
实现条件及过程：利用软开关需要二个元素，一个是 C 一个是 L 来实现谐振（当然也可以多谐振形式），谐振会产生正弦波，正弦波就能实现过零 。如果是串联谐振属于电压谐振，并联谐振属于电流谐振 。
其次软开关和硬开关的差异是：硬开关过程中电压电流有重叠，软开关要么电流为零（ZCS）要么电压为零（ZVS） 。MOS 管的软开关可以利用结电容或者并电容，然后串电感实现串联 ZVS，例如准谐振反激，有源箝位吸收电路，移向全桥的软开关 。也有 LC 并联 ZCS，不过用的很少，因为 MOS 管 ZVS 的损耗小于 ZCS 。LLC 属于串并联式，不过我们利用的是 ZVS 区 。（在死区的时候谐振电流过零，上管软开通前，先给下管结电容充电，上管实现软开通）
问题十
什么样的变压器才算是最完美适用的？变压器决定了什么，影响了什么？
设计变压器是各种拓扑的核心点之一，变压器设计的好坏，影响电源的方方面面，有的无法工作，有的效率不高，有的 EMC 难做，有的温升高，有的极限情况会饱和，有的安规过不了，需要综合各方面的因素来设计变压器 。
设计变压器从哪里入手呢？一般来说根据功率来选择磁芯大小，有经验的可参考自己设计过的，没经验的只能按照 AP 算法去算，当然还要留有一定的余量，最后实验去检验设计的好坏 。
一般小功率反激推荐的用的比较多 EE 型，EF 型，EI 型，ER 型，中大功率 PQ 的用的比较多，这里面也有每个人的习惯以及不同公司的平台差异，功率很大的，没有适合的磁芯，可以二个变压器原边串副边并的方式来做 。
不同拓扑对变压器的要求也不一样，比如反激，需要考虑的是需要工作在什么模式下，感量如何调节适中 。尤其是多路输出一定要注意负载调整率满足需求，耦合的效果要好，比如采用并绕，均匀绕制，以及副边匝数尽可能增多 。MOS 管耐压决定匝比，怎么选取合适的占空比，选取多大的 Bmax（一般小于 0.35，当然 0.3 更好，即时短路也不会饱和太严重）有的还需要增加屏蔽来整改 EMC，原副边屏蔽一般加 2 层，外屏蔽 1 层就好 。
大功率变压器一般更多的是关注损耗，需要铜损和磁损达到平衡，还要考虑到风冷自然冷，电流密度多大合适，功率稍大（大于 150W）的一般电流密度相对取小些（3.5-4.5），功率小的（5.0-7.0） 。
还要清楚电源过的什么安规，挡墙是不是足够，层间胶带是否设置合理也是不可以忽视的，一旦要做认证去改变压器也是影响进度的 。
问题十一
我们真的需要到迷恋设计工具，依赖仿真的地步吗？
电源的设计工具主要用在以下几个方面：1. 选择磁芯及设计变压器 2. 环路仿真设计 3. 主功率拓扑仿真 4. 模拟电路仿真 5. 热仿真（针对大功率）6. 计算工具（计算书） 等等 。
对于新人来说，我给的建议少用工具，多计算，自己把握设计的过程，因为工具是人做的，不同人的设计习惯差异，不能用一个固定的设计模式来设计不同的电源 。
有些仿真可以与设计相结合：比如环路设计好后是很难直接满足设计需求的，仿真可以在试验前很好验证，但仿真也不是完全和试验一样，至少不会差太远 。
熟练运用 Mathcad 和 Saber 也是必要的，只是很多我们需要弄清原理的层面，把工具只需要当做计算器来使用，更快速方便更高效来满足我们设计就好，想纯依赖工具来设计电源，无疑是走入极大误区 。
问题十二
评判一块电源板 LAYOUT 好坏有哪些地方能一阵见血发现？
什么样的 PCB 是一块好的 PCB，至少要满足以下一个方面：1. 电性能方面干扰小，关键信号线及底线走的合理，各方面性能稳定（前提是电路无缺陷） 。2. 利于 EMC，辐射低，环路走的合理 。3. 满足安规，安规距离满足要求 。4. 满足工艺，量产可生产性，以及减小生产成本 。5. 美观，布局规则有序（器件不东倒西歪），走线漂亮美观，不七弯八绕的 。
如何才能做到以上几点，分享我的布板经验：
1. 布局前，了解清楚电源的规格书，电源的规格，有无特殊要求，以及要过的安规标准 。
结构输入条件是不是准确，以及风道的确认，输入输出端口的确认，以及主功率流向 。
工艺路线选取，根据器件的密度，以及有无特殊器件，选择相对应工艺路线 。
2. 布局中，注意合理的布局，保证四大环路尽可能小，提前预判后续走线是否好走 。变压器的摆放基本决定了整体的布局，一定要慎重，放到最佳位置 。EMI 部分的布局流向清晰，与其它主功率部分有清晰的隔离带 。减少受到主功率开关器件的干扰 。各吸收回路的面积尽可能小，散热器的长度以及位置要合理，不挡风道 。
3. 走线部分，输入 EMI 电路的走线是否满足安规，原副边距离，输入输出对大地的距离都要满足安规 。走线的粗细是否满足足够的电流大小，关键信号（例如驱动信号，采样信号，地线是否合理），驱动信号不要干扰敏感信号（高频信号）；采样信号是否采样准确，是否会受到干扰；地线是否拉得合理（有时需要单点接地，有时需要多点接地跟实际需要有关），主功率地和信号地严格区分开，原边芯片地从采样电阻取，不要从大电解取（尤其是采样电阻和大电解地距离远时），VCC 的地前级地回大电解，二级电容地接芯片，反馈信号也单点接 IC，地单点接 IC 。散热器的地必须接主功率地，不能接信号地等等很多的细节要求 。
问题十三
电源的元器件你懂多少？MOS 管结电容多大，对哪些有影响？RDS 跟温度是什么关系？肖特基反向恢复电流影响什么？电容的 ESR 会带来哪些影响？
电源中的设计的器件类型很多，主要有半导体器件如：MOS 管，三极管，IC，运放，二极管，光耦等；磁性器件：电感，变压器，磁珠等；电容：Y 电容，X 电容，瓷片电容，电解电容，贴片电容等；每种器件都有其规格，极限参数 。
常 规的参数在我们选型很容易把握，例如选取 MOS 管，耐压参数肯定会考虑，额定电流也会考虑，导通电阻我们会考虑，但还有一些寄生参数以及一些随温度变化特 性的参数却很少去注意，或者只有在发现问题的时候才会去找 。导通电阻 Rds（on）随温度升高其阻值是变大的，设计 MOS 管损耗时要考虑到其工作的环境温 度 。结电容影响到我们的开通损耗，也会影响到 EMC 。
肖特基二极管耐压，额定电流一般很好注意，有些参数例如导通压降在温度升高时会减小，反向恢复时间短，不过漏电流大（尤其是考虑到高温时漏电流影响就更大了），寄生电感会引起关断尖峰很高 。
电容一个重要参数 ESR，在计算纹波时通常会考虑，ESR 一般与 C 的关联是很大的，不过不同厂家的品质因素影响也是很巨大，一定要具体分清楚 。
一般估算公司可参考：ESR=10/（C 的 0.73 次方），电容在高温时寿命会缩短，低温时容量会减小，漏电流也会增加等等；
当然器件在特殊情形表现出来的特性差异是值得我们思考的问题，请大家多多思量，对于我们解决特殊情况下的问题非常有帮助 。
问题十四
你对磁性材料了解多少，磁环和磁芯有哪些差异？低磁环和高磁环用在什么情况？
磁 性器件对开关电源的重要性不言而喻，可以说是电源的心脏部位 。磁性材料的种类也繁多，常用来做变压器的一般是铁氧体材料，主要是价格便宜，开关频率最大 能做到 1000K，够一般情况下使用了 。铁氧体磁芯既可以做主变压器也可以做电感，如 PFC 电感（一般铁硅铝材质居多，性价比高），储能电感也可以 。当然 在要求高的情况下，尤其是大功率一般用磁环，主要是感量可以做大，不易饱和，相对铁氧体磁芯来说，不过缺点是价格贵，尤其是大电流，绕制工艺较困难 。磁环 也分高 U 值和低 U 值，主要也是磁环的材料不同照成，高 U 环磁环外观是绿色，一般 EMI 电路的共模电感选用，感量会相对较大滤低频，颜色偏灰的是低 U 环，感 量很低，滤高频 。一般为了 EMC 都是搭配使用效果一般都比较好！
问题十五
电源损耗是怎么分布的？MOS 管损耗？变压器损耗？变压器除了直流损耗，还有交流损耗怎么算的？
电源损耗一般集中在以下一些方面：1.MOS 管的开通损耗及导通损耗 。2. 变压器的铜损和铁损；3. 副边整流管的损耗；4. 桥式整流的损耗 。5. 采样电阻损耗；6. 吸收电路的损耗；7. 其它损耗：PFC 电感损耗，LLC 的谐振电感损耗，同步整流的 MOS 管损耗 。等等 。。。
针对这些损耗，适当的减小可以提升效率 。1. 针对 MOS 管可选用开关速度快的，导通电阻低的，电路上课采用软开关 。2. 针对变压器：选择合适大小的磁芯，磁 芯太小损耗会大，很难做到铜损和铁损平衡 。尤其是铜损不仅有直流损耗还有交流损耗，交流损耗一般比直流损耗还大 2 倍，因为铜线在高频下的交流阻抗比直流阻 抗大的多，计算时一定要充分估算进去 。
问题十六
电源中的热设计，散热器是怎么选择的？散热器设计需要考虑什么？
散热器的设计是开关电源的一个重点，散热器主要是针对我们的发热器件温升过高，需要采用散热器来降低热阻来达到降低温升的作用！
【电源研发的过程中的常见问题】主要发热器件：整流桥，MOS 管，整流二极管，变压器，电感等等 。
散热器的大小选择一般根据损耗的功率，需要的温升来计算热阻，根据热阻来选择相应面积的散热器。
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当然也需要一些辅助的方式，比如在器件和散热片间涂散热膏，有会有些效果 。比较小的空间可采用型材散热，体积小，散热面积大 。
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特殊器件有特殊的处理：如变压器可将变压器底下的 PCB 板挖空散热，也可以在变压器上用导热泥贴散热片的方式 。电感也可以加铜环散热等等 。。。
问题十七
LLC 的输出滤波电容怎么决定的？受哪些因素影响？
输 出滤波电容对输出纹波至关重要，选择合适的滤波电容需要从成本及纹波需求考虑，当然对每种拓扑滤波电容的选取都是按照输出纹波需求，纹波电流所对应的 ESR 值来选取对应的电容，当然电容的容量与 ESR 的关系跟电容的品质也有着很重要的关系，之前已经讨论过其关系式 。纹波电压时我们的需求，一般按照 50mv 的需求的话，设计留有余量一般选择 10mv 。（考虑到 PCB 板滤波效果，电容低温容值降低），纹波电流计算式如下：
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问题十八
移相全桥的驱动是什么实现的？何为移相？移相带来什么？
移相全桥目前在中大功率使用中，也是用的很火，受欢迎程度仅次于 LLC 谐振半桥 。之前已经比较过不同拓扑的使用情况，这里就专门介绍下移相全桥的特点 。
移相全桥特点一：驱动比较复杂，导致控制电路复杂，成本很高，原因是移相全桥一般有 4 个 MOS，对驱动能力要求很高，一般 IC 很难做到，需要对驱动能力通过外置 MOS 管放大使用，又为了加强可靠性一般采用隔离变压器来驱动 MOS 管 。
移 相全桥特点二：移相，为什么要移相，移相带来什么，跟普通全桥有什么区别 。移相针对的是同一组的 MOS 管，让 2 个 MOS 管依次导通，可以降低开关损耗 。超 前臂桥实现 ZVS 同时，副边处于续流，原边电流被二极管分担，MOS 管电流也很小，近似零电流导通，滞后臂桥可以零电压导通 。
移相全桥特点三：工作过程复杂，二个输出功率状态（靠原边提供能量），二个续流状态（靠副边电感及电容提供供能量），四个死区（来分别实现每个 MOS 管软开通 I）
只是为了给新手了解移相全桥，作为开关电源比较重要的拓扑一部分，它的重点和难点在哪里 。
问题十九
大功率若追求效率，无桥 PFC 是怎么实现的？原理是什么？
很 多人都听说过无桥 PFC，不过真正使用起来并不很常见，原因是无桥 PFC 相比普通有桥 PFC 效率上固然有提升，一般也就在 1-2%，若不是追求高效，一般 都不会使用，成本太高 。根据无桥 PFC 的特点，其实整流桥并没有真正省去不用，只是当做交流输入正负半轴的隔离使用，简单来说相当于普通二个 PFC，交流 正负半轴各一个，相应的 PFC 电感也会增加一个，MOS 管也会增加一个，驱动 IC 也会复杂一些，对于大功率为了做高效，检测电阻用变压器绕组来做，可以减 小损耗 。之前接触过一个 960W 用无桥 PFC+LLC 效率达到 96.5%，不过最终因为客户要求输入电压交流和直流都能满足，这时候无桥 PFC 就不能在直 流下发挥很好的作用就否决了 。
问题二十
电力电源中为什么用到三相电？三相三电平是怎么实现，三电平带来了什么？
三相电在电力电源中使用比较多，一般在大功率 1KW 以上或者上万 W 的场合 。三相电一般采用三相四线，其中一根是零线，四根线相当于能够传输普通二相电三倍的功率，传输功率更大是其最大优势；其次三相电易于产生，目前最常见的三相异步电机，能简单方便产生 。
三 相三电平是怎么回事呢，因为三相电不能直接给某些用电设备供电，需要转变成普通的二相电 。一般过程，采用三相 PFC 转换为直流电，直流电然后逆变成二相交 流电 。这里面就牵涉到三电平技术，三相电 PFC 整流出来不是普通正负 DC，而是三电平，也就是正 DC，零，负 DC 。从这里也可以看出来采用三电平器件的应 力降低，谐波含量低，开关管损耗也低，这样在高压大功率场合优势就非常突出了 。
问题二十一
电源中有很多保护电路，你最多能说几种保护？怎么去实现？
电源的可靠性离不开保护电路，通常有哪些保护电路呢？
1. 输入欠压过压很常用，对交流信号采样 。
2. 输出过压保护，一旦电源开关能锁机对电源可靠性也有帮助 。
3. 过流保护，有的是采用恒流做过流，有的采用限功率来做过流，当然也可以锁机来做，目的一个可靠性，方法很多种 。最可靠的保护一定是锁死而不是打嗝！
4. 过温保护，采用热敏对变压器或者是环境温度等方式检测，来反馈给到 IC 锁机或者打嗝 。
5. 短路保护，短路可以打嗝，同样也可以锁机 。
这些是一般电源常用的，有的可以说是必备的保护电路 。所以看好规格书选择合适的 IC 来做保护功能更方便的保护电路 。我用过一款 LD7522 做反激，这些功能就能很好，可以简单全部的做出来 。
问题二十二
一般的 LDO 和高 PSRR 的 LDO 有甚么分别？
这个问题问得非常典型，其实一般的 LDO 是起到稳定电压的作用，它对温波造成的控制抑制基本集中在 10K 以下，在典型的 LDO 数据手册里面，在 10K 或是 100K 以下的 PSR 通常是在 40DB 以下，因为此时的 LDO 误差放大器基本上已经失去了放大能力 。对于实际的需求来说，很多 DCDC 电源它的温波频率是在几百 K 甚至上兆，如果是一个普通的 LDO，对于这样的噪声抑制没有任何能力，它只对声频范围有抑制能力，对于需要射频应用的场合，LDO 通常是无能为力的，而高 PSR 的 LDO 则能提供这方面的抑制，所以这也是一个根本上的完全不同的区别 。
问题二十三
搞电源不懂市场？你搞的电源何去何从？开发出了没用？替老板赚到钱才有用 。
终于到了最后一个问题，电源市场问题一般工程师可能关注的少，注重研发是错误 。项目成功不是做出来，而是赚到少的钱 。
举个例子：你一年做了三个项目累死累活，赚了 100 万，另一个人一年就做了一个项目，比做三个项目轻松多了，一年赚了 1000 万，老板喜欢哪个？
有的人说项目又不是我们选择，怎么知道赚不赚钱，但是赚钱项目的特点我们要熟悉啊，什么样的电源市场上比较火啊，你清楚吗？按照自己公司现有的模式来开发，有没有和大公司的设计差距啊 。不是说项目能不能做出来，而是能不能最优的做出来，其实站在研发角度也就是如何选择最优拓扑，做省方案 。
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