MOS管就要这么学习,一看就懂非常简单,方法最关键( 二 )

需谨记，在 DC 电路中，并联电阻性负载的等效阻抗小于每个负载单独的阻抗值。比如，两个并联的2Ω 电阻相当于一个1Ω的电阻。因此，一般来说，一个低RDS(ON) 值的MOSFET ，具备大额定电流，就可以让设计人员把电源中所用MOSFET的数目减至最少。

除了RDS(ON)之外，在MOSFET的选择过程中还有几个MOSFET参数也对电源设计人员非常重要。许多情况下，设计人员应该密切关注数据手册上的安全工作区(SOA)曲线，该曲线同时描述了漏极电流和漏源电压的关系。基本上， SOA定义了MOSFET能够安全工作的电源电压和电流。在 ORing FET应用中，首要问题是：在"完全导通状态"下FET的电流传送能力。实际上无需SOA曲线也可以获得漏极电流值。再以FDMS7650为例，该器件的额定电流为36A ，故非常适用于服务器应用中所采用的典型DC-DC电源。
若设计是实现热插拔功能， SOA曲线也许更能发挥作用。在这种情况下， MOSFET需要部分导通工作。SOA曲线定义了不同脉冲期间的电流和电压限值。
注意刚刚提到的额定电流，这也是值得考虑的热参数，因为始终导通的MOSFET很容易发热。另外，日渐升高的结温也会导致RDS(ON)的增加。MOSFET数据手册规定了热阻抗参数，其定义为MOSFET封装的半导体结散热能力。RθJC的最简单的定义是结到管壳的热阻抗。细言之，在实际测量中其代表从器件结(对于一个垂直MOSFET ，即裸片的上表面附近)到封装外表面的热阻抗，在数据手册中有描述。若采用PowerQFN封装，管壳定义为这个大漏极片的中心。因此， RθJC 定义了裸片与封装系统的热效应。RθJA 定义了从裸片表面到周围环境的热阻抗，而且一般通过一个脚注来标明与PCB设计的关系，包括镀铜的层数和厚度。
总而言之， RθJC在电源设计团队的控制范围以外，因为它是由所采用的器件封装技术决定。先进的热性能增强型封装，比如飞兆半导体的Power 56 ，其RθJC 规格在1 和 2 oC/W之间， FDMS7650 的规格为 1.2 oC/W 。设计团队可以通过PCB设计来改变 RθJA。最终，一个稳健的热设计有助于提高系统可靠性，延长系统平均无故障时间(MTBF) 。
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【MOS管就要这么学习,一看就懂非常简单,方法最关键】

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